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磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

A Study on Regrowning of Ge/Si Heterostructures Made By Magnitron Sputter Deposition after Annealed

    摘要
  • 摘要: 用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态.

     

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