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液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善

吴军, 毛旭峰, 万志远, 李沛, 韩福忠

吴军, 毛旭峰, 万志远, 李沛, 韩福忠. 液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善[J]. 红外技术, 2014, (12): 973-975.
引用本文: 吴军, 毛旭峰, 万志远, 李沛, 韩福忠. 液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善[J]. 红外技术, 2014, (12): 973-975.
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WU Jun, MAO Xu-feng, WAN Zhi-yuan, LI Pei, HAN Fu-zhong. Improvement of Compositional Uniformity of HgCdTe Grown by LPE[J]. Infrared Technology , 2014, (12): 973-975.
Citation: WU Jun, MAO Xu-feng, WAN Zhi-yuan, LI Pei, HAN Fu-zhong. Improvement of Compositional Uniformity of HgCdTe Grown by LPE[J]. Infrared Technology , 2014, (12): 973-975.
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液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善

  • 昆明物理研究所,云南昆明,650223

  • 中国科学院昆明物理研究所

基金项目: 国防基础科研项目。
详细信息

  • 中图分类号: TN304.2+5

Improvement of Compositional Uniformity of HgCdTe Grown by LPE

摘要

    摘要
  • 摘要: 由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手，改进水平滑舟液相外延工艺，从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性，使距薄膜边缘1.5 mm（衬底边缘2.5 mm）以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高，增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料（?1/2(77 K)＝4.8?m）?x≤0.001，与国外水平相当。
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