高级检索
ENGLISH

蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析

陈靖, 程宏昌, 吴玲玲, 冯刘, 苗壮

陈靖, 程宏昌, 吴玲玲, 冯刘, 苗壮. 蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析[J]. 红外技术, 2017, 39(5): 463-468.
引用本文: 陈靖, 程宏昌, 吴玲玲, 冯刘, 苗壮. 蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析[J]. 红外技术, 2017, 39(5): 463-468.
shu
CHEN Jing, CEHNG Hongchang, WU Lingling, FENG Liu, MIAO Zhuang. Thermal Stress Analysis of Surface of Sapphire/SiO2/AlN/GaN Epilayers[J]. Infrared Technology , 2017, 39(5): 463-468.
Citation: CHEN Jing, CEHNG Hongchang, WU Lingling, FENG Liu, MIAO Zhuang. Thermal Stress Analysis of Surface of Sapphire/SiO2/AlN/GaN Epilayers[J]. Infrared Technology , 2017, 39(5): 463-468.
shu

蓝宝石/SiO2/AlN/GaN多层结构表面热应力仿真分析

  • 西安工业大学光电工程学院,陕西西安,710021

  • 微光夜视技术重点实验室,陕西西安,710065

  • 西安工业大学

基金项目: 微光夜视技术重点实验室基金项目(BJ2014004)
详细信息

  • 中图分类号: TB43%O434.2

Thermal Stress Analysis of Surface of Sapphire/SiO2/AlN/GaN Epilayers

摘要

    摘要
  • 摘要: 为了研究蓝宝石/SiO2/AlN/GaN光阴极组件外延片热应力分布及影响因素,以直径d为φ40 mm的GaN外延片为研究对象,利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真,验证了仿真模型的合理性.分析了外延片径向和厚度方向的应力分布,结果显示:在1200℃的生长温度下,径向区域内的热应力分布比较均匀,热应力变化范围为±1.38%;生长温度在400℃到1200℃范围内,外延层表面应力与生长温度呈近似正比关系.分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和SiO2、AlN过渡层厚度对表面热应力的影响.研究成果可为该类外延片生长工艺研究和低应力外延片的筛选标准制定提供借鉴.
    • HTML全文
    • 参考文献(0)
    • 相关文章
    • 施引文献
    • 资源附件(0)
计量
  • 文章访问数:  149
  • HTML全文浏览量:  26
  • PDF下载量:  15
  • 被引次数: 0
出版历程

目录

摘要
HTML全文
    参考文献(0)
    相关文章
    施引文献
    资源附件(0)

    /

    返回文章
    返回

    版权所有 © 《红外技术》编辑部京ICP备000000000号-1

    本系统由 北京仁和汇智信息技术有限公司 开发  百度统计